缩放

在Applied今天举行的Applied 2021逻辑大师班上，该公司展示了一些创新，这些创新有助于解决关键的逻辑扩展挑战，并在3NM及以后的PPACT™中持续改进。

除非我们可以解决模式可变性挑战，否则我们将无法进一步扩展逻辑芯片，并为用户提供同时改善功率，性能和成本。“ DTCO”和材料工程的创新在这里提供帮助。

虽然晶体管性能随着缩放而提高，但互连不能说相同的话。实际上，随着我们转向较小的过程节点，互连电阻会增加，从而损害了设备性能和功耗。要继续在高级逻辑中扩展互连，需要在材料工程方面进行创新。

在即将到来的逻辑大师班上，Applied和行业的专家将阐明使高级逻辑能够进一步扩展和改进PPACT所需的创新。在此博客中，我预览了我们将讨论与晶体管设计和扩展挑战相关的内容。

为了帮助该行业满足全球对更实惠，高性能记忆的需求，如今应用的材料引入了解决方案，该解决方案支持DRAM缩放的三个杠杆：一种用于电容器缩放的新硬面膜材料，用于互连接线的低K介亚博最新版本电材料，以及采用高级DRAM设计的高K金属栅晶体管。

计算的AI时代正在助长数据生成的指数增长，整个技术生态系统取决于半导体行业，找到了扩展DRAM体系结构的新方法，以使步伐保持需求。新的硬面膜图案薄膜可以使具有最高纵横比的较薄的电容器，而新的电介质绝缘材料可以减少金属线之间的间距，这两者都导致了新的收缩方式。