互连

为了帮助业界满足对更便宜、高性能内存的全球需求，应用材料公司今天推出了支持三种DRAM扩展杠杆的解决方案:亚博最新版本一种用于电容器缩放的新型硬掩模材料，用于互连布线的低k介电材料，以及用于先进DRAM设计的高k金属栅晶体管的采用。

人工智能时代正在推动数据生成的指数级增长，整个技术生态系统取决于半导体行业寻找新的方法来扩大DRAM架构，以跟上比特需求。新的硬掩模图案薄膜可以使更薄的电容器具有最高的纵横比，而新的介电绝缘材料可以减少金属线之间的间距，这两种材料都产生了新的收缩方式。

应用公司最新的集成材料解决方案解决了选择性钨沉积的挑战，在最先进的铸造厂逻辑节点上实现了芯片功率、性能和面积/成本(PPAC)的同时改善。

在二维尺度上，euv技术的进步推动了传统材料工程技术的极限，因此需要突破接触电阻的增加，并持续改善芯片的性能、功率和面积/成本(PPAC)。

EUV光刻技术的出现有助于克服晶体管缩放的挑战，但材料工程方面的新创新也需要实现性能和功率的缩放。

在10纳米以下的芯片设计中，改变触点中的材料可以降低电阻并提高成品率。

亚博最新版本应用材料公司将于5月19日在法国格勒诺布尔举行的IITC*会议上主办一个论坛，讨论如何克服铜互连的关键挑战。虽然业界的焦点一直集中在晶体管的规模上，但在10纳米节点及以上，互连正成为一个主要问题。亚博最新版本应用材料和特邀演讲嘉宾将在题为“推进互联扩展前沿”的专题讨论会上探讨互联技术必须采取的路径，以跟上摩尔定律的步伐。

亚博最新版本随着Endura®Volta™CVD系统的发布，应用材料公司推出了15年来互连技术中最大的材料变化。其独特的钴工艺缓解了关键的互连结垢瓶颈，使摩尔定律的持续发展成为可能。

芯片制造商和设备供应商正在探索革命性的材料和技术，以继续实现微芯片性能的突破。创新的步伐正以行业从未有过的速度飞速发展。我们将在未来五年看到比过去15年更多的变化。如果没有这些努力，创造了一代又一代具有惊人能力的移动和计算设备的创新引擎将会停滞。正在发生颠覆性变化的一个领域是互联。以下是对这一转变的简短解释。