EUV

在今天举行的Applied 2021逻辑大师课程上，该公司展示了一些创新，这些创新有助于解决关键的逻辑扩展挑战，并在PPACt方面提供持续改进™ 在3米及以上。

Applied最新的集成材料解决方案解决了选择性钨沉积的难题，使最先进的铸造逻辑节点能够同时提高芯片功率、性能和面积/成本（PPAC）。

随着EUV技术在二维缩放方面的进步推动了传统材料工程技术的极限，需要突破接触电阻的增加，并在芯片性能、功耗和面积/成本（PPAC）方面实现持续改进。

EUV光刻技术的出现有助于克服晶体管的缩放挑战，但还需要材料工程方面的新创新，以实现性能和功率的缩放。

受IEDM应用材料小组讨论的启发，我们最新推出了一系列博客，探讨了在哪里以及如何处理和存亚博最新版本储数据，以提高计算效率，同时抑制能耗。

亚博最新版本应用材料公司在IEDM期间主持了一次发人深省的小组讨论，讨论表明，虽然在芯片性能、功耗和面积成本方面没有单一的途径可以持续改进，但业界将很好地共同寻找解决方案。

本博客的普通读者可能还记得，光罩是用于制造芯片的蓝图。光刻工艺将蚀刻在掩模上的图案打印到硅片上，以定义晶体管，存储单元和布线——构成功能性器件的所有纳米级结构。由于业界采用了一种称为极紫外光刻（简称EUV）的新技术，光刻技术预计将在未来几年经历一次重大转变。这一变化需要新一代具有新材料和工作原理的光掩模。