改善图案的创新

半导体行业的领先专家光刻，计量学，图案技术和材料将聚集2019年SPIE高级光刻研讨会于2月24日至28日在圣何塞举行。在这个年度论坛上，讨论关键模式挑战和最新进步，提供了对推动行业前进的新途径的更深入的了解。

最大的技术的设备缩放的障碍物是层到层的垂直对准或边缘放置误差（EPE）。Epe是在多层设备设计中导致关键功能未对准的模式错误。EPE会影响芯片的产量，制作层到层对齐是基本的行业要求。紧迫的问题是：可以采用哪些新技术来通过层次“查看”并测量变化至控制和减少EPE在高级节点？

在今年的研讨会上，应用材料将讨论最小化EPE和其他重亚博最新版本要发展的技术。其中包括使用新的电子束成像技术进行嵌入式缺陷检测，EUV缺陷的检查和分类以及3D模式表征。

以下是我们的论文和海报的指南。我们希望在会议上见到您！

会议2：覆盖新闻
2月25日，星期一，下午1：30-1：50
在设备EPE: placeme最小化覆盖模式nt and pitch-walk in presence of EUV and etch stochastics, Applied Materials

会话PS1：海报
2月27日，星期三，下午5：30-7：30
宏CD-SEM 2D计量学支持高级DRAM图案过程，应用材料亚博最新版本
新的成像技术，可以检测到埋入的缺陷，应用材料亚博最新版本

会议12：设计与计量学的互动
2月28日，星期四，9：40-10：00 AM
3D光学接近度模型使用在线3D-SEM计量，应用材料，Synopsys GmbH（德国）亚博最新版本

会议14：检查II
2月28日，星期四，1：50-2：10 pm
SEM检查和审查方法解决EUV随机缺陷，应用材料亚博最新版本