腐蚀

为了帮助行业满足全球需求，对更实惠的，高性能的内存，应用材料推出了支持三个DRAM缩放杠杆的解决方案：用于电容器缩放的新的硬掩模材料，用于互连布线的低k介电材料，以及用于互亚博最新版本连布线的低k介电材料，采用高k金属栅极晶体管进行高级DRAM设计。

计算的AI时代正在加强数据生成中的指数增长，整个技术生态系统都取决于半导体行业找到了扩展DRAM架构以保持比特需求的步伐。新的硬膜图案化薄膜可以使具有最高纵横比的更薄的电容器，而新的电介质绝缘材料可以减少金属线之间的间距，这两种都会产生新的缩小方式。

需要在原子尺度上除去材料的选择性移除技术，以使新的方式收缩晶体管，因为2D缩放达到物理限制。

半导体行业分析师和VLSIresearch公司的首席执行官G. Dan Hutcheson讨论了完全不同的Producer®Selectra™蚀刻系统和极端选择性对行业的重要性。

3D NAND正在更接近成为一个主流技术。但是，仍然有工作要做，以便进入成本敏感的消费市场。

为了防止相邻晶体管之间的电流泄漏，最先进的微芯片采用浅沟槽隔离(STI)技术，将晶体管彼此隔离。STI工艺的关键步骤包括在硅上蚀刻沟槽图案，沉积介质材料以填充沟槽，并使用化学-机械平化(CMP)等技术去除多余的介质。但随着工业规模扩大到20纳米以下，STI蚀刻步骤面临的重大挑战正在出现。

蚀刻。对于一项非常重要的技术，非常短的单词，没有任何微芯片。蚀刻是在硅晶片上印刷的电路特征的图像刻在下面的薄膜中的过程。换句话说，蚀刻使电路真实。一周，我博客关于我们在等离子蚀刻技术方面的最新创新如何帮助Chipmakers构建3D闪存阵列。事实上，蚀刻已经解决了超过三十年的尖端问题。

这可能是一年的轻描淡写，但是闪存很受欢迎。每年，我们每年消耗几倍的比特.Consider这些掘金：今天的智能手机比20世纪90年代中期从台式电脑的硬盘更具闪存。甚至预算电话也可以捕获高清（HD）视频并在网上共享它。仅基于闪存的固态驱动器在过去几年中，从异国情调到普通。这是通过陡峭的每位急剧下降所可能的。每五年，成本均以规模阶乘下降。记忆制造商如何应对这个跑步机？

Photomasks，作为本博客的常规读者可能会回忆，是用于制作芯片的蓝图。光刻工艺在硅晶片上打印在掩模上蚀刻的图案，以限定晶体管，存储器单元和布线 - 所有构成功能装置的纳米级结构。预期在未来几年内接受地震转移，因为该行业采用了未来几年的地震转变一种称为极端紫外线光刻的新技术，或短暂的EUV。这种变化需要新一代的光镜头，具有新的材料和操作原理。